Mercoledì ore 10:30 12:30

Dipartimento di Energetica,

Via S. Marta 3, 50139 Firenze

e' possibile effettuare ricevimento in altra data/orario previo appuntamento telefonico o via email

Curriculum didattico

Attualmente tiene due insegnamenti alla Facoltà di Ingegneria dell’Università di Firenze: Fisica, al Corso di Laurea di Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni (IET), e Fisica dello Stato Solido per il corso di Laurea Specialistica in Ingegneria Elettronica. La lista dei corsi che ha precedentemente tenuto presso la Facoltà di Ingegneria è la seguente:

Dal 1999 al 2010 Mara Bruzzi è stata membro del corso di Dottorato Scienza e Tecnologia dei Materiali dell’Università di Firenze.  Membro del Comitato Ordinatore della scuola di specializzazione di Fisica Medica dell’Università di Firenze. E’ anche membro del comitato scientifico della scuola nazionale “Rivelatori ed Elettronica per Fisica delle Alte energie, Astrofisica ed Applicazioni Spaziali”, che si tiene presso i Laboratori Nazionali dell’Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN), Legnaro, Padova. 

Curriculum Scientifico

Mara Bruzzi si è laureata in Fisica all’Università di Milano con votazione 110/110 con lode.  Ha quindi conseguito il titolo di Dottore di Ricerca in Energetica presso l’Università di Firenze nel 1993. Dal  1995 al 2001 è stata ricercatrice di Fisica Generale (B01A) presso l’Università di Firenze. Dal Novembre  2001 è professore associato di Fisica Sperimentale (FIS/01), confermato nel Novembre 2004, all’Università di Firenze, ed afferisce dal 1995 al Dipartimento di Energetica. La sua attività scientifica riguarda vari aspetti nello studio delle proprietà microscopiche ed elettriche di materiali semiconduttori e/o nanostrutturati e dei dispositivi elettronici applicati alla sensoristica su di essi basati.  In particolare si è occupata dello studio del disordine reticolare in materiali semiconduttori, anche a seguito a forti livelli di radiazione. Lo studio dei difetti è eseguito con tecniche  di Thermally Stimulated Currents (TSC) e Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) per determinare energia di attivazione, sezione di cattura e concentrazione dei difetti dominanti. Gli effetti del disordine reticolare sul trasporto elettrico è studiato analizzando le caratteristiche elettriche in un largo dominio di temperature ed applicando tecniche di material engineering per migliorare le prestazioni dei dispositivi prodotti con i materiali studiati.  In questa tematica Mara Bruzzi è considerata esperta a livello internazionale: per questo, dal 2002 al 2010  è stata Spokesperson della collaborazione internazionale CERN RD50: "Development of Radiation Hard Semiconductor Detectors for Very High Luminosity Collider” (http://www.cern.ch/rd50) che conta circa 250 membri da 55 istituti di ricerca ed Università  in Europa, USA e paesi dell’Est. Ha inoltre lavorato attivamente nel campo della dosimetria per radioterapia clinica: in particolare allo sviluppo di dosimetri a diamante, sia policristallino, cresciuto con tecnica Chemical Vapour Deposition (CVD) che singolo cristallo HPHT ed omoepitassiale. Ha studiato l’applicazione del diamante in dosimetria  off-line ( basato sulla risposta in termoluminescenza e TSC alla dose assorbita) e on-line, applicata a fasci di elettroni (6-22MeV) e fotoni da acceleratori lineari radioterapici. Partecipa al progetto integrato  MAESTRO (Methods and Advanced Equipment for Simulation and Treatment in Radiation Oncology) dal 2004, come responsabile del WP 3.3, focalizzato sullo sviluppo di un dosimetro bidimensionale a silicio per verifiche di dose in radioterapia a intensità modulata ( Intensity Modulated RadioTherapy:IMRT), protonterapia e radioterapia stereotassica. Mara Bruzzi è inventore, insieme a Marta Bucciolini, David Menichelli e Cinzia Talamonti, del brevetto depositato dall’Università degli Studi di Firenze il 30 giugno 2006 “Rilevatore dosimetrico bidimensionale” (FI2006A000166).  In collaborazione con l’Università di Catania, l’University of California Santa Cruz ed il Loma Linda University Medical Center (LLUMC) sta sviluppando un sistema originale per tomografia a protoni computerizzata (proton computer tomography pCT). E’ responsabile nazionale di un progetto dell’istituto nazinale di Fisica Nucleare (INFN - commissione 5a) su questi temi: il progetto PRIMA ( Proton IMAging e dosimetria con fasci di protoni e fotoni).  Mara Bruzzi ha inoltre dedicato parte della sua attività di ricerca scientifica allo studio delle proprietà di trasporto elettrico in materiali semiconduttori avanzati quali: carbonio nanostrutturato, carburo di silicio epitassiale, biossido di Titanio. Ha studiato i film di diamante policristallino e di SiC epitassiale come rivelatori di particelle e dosimetri di radiazione ( gamma, X e UV). Per quanto riguarda le nanostrutture di TiO2 , sta sviluppando in collaborazione con alcune realtà industriali  un prototipo di cella fotovoltaica di tipo Graetzel. In collaborazione con l’Osservatorio Ximeniano di Firenze e CeRiCol, Colorobbia, sta inoltre sviluppando un sistema sensoristico  per misure ambientali della qualità dell’aria. E’ autrice di circa 130 pubblicazioni scientifiche su riviste internazionali con referee. 

Mara Bruzzi graduated in Physics at University of Milano in  1988 with 110/110 cum laude, on a thesis on radiation damage in silicon detectors for experiments in high energy physics. Associated to the INFN  di Firenze from 1990 and from 1988 at CERN ( Centro Europeo per la Ricerca Nucleare ) Geneve, she got a PhD in Energy Engineering in 1993 at Università di Firenze. She has been assistant professor in General Physics from 1995 to 2001, she is Associated professor in Experimental Physics  (FIS01 )  at Dipartimento di Fisica ed Astronomia, Università di Firenze.

Her scientific activity is directed to the study of the microscopic properties of semiconductor crystalline, polycrystalline and nanostructured materials in view of the development of sensors, with particular regard on radiation hard semiconductor detectors. She has been Spokesperson of the CERN international collaboration RD50: "Development of Radiation Hard Semiconductor Detectors for Very High Luminosity Collider” (http://www.cern.ch/rd50, counting around 250 members from many institutes in Europe, USA and Eastern Countries ) in the period 2002-2010. Moreover, she has been actively involved in the development of semiconductor detectors for clinical radiotherapy, in particular silicon as well as natural and synthetic diamond. In the 6^th famework program, about the topic “Combating Cancer”, she participated to the integrated project IP MAESTRO (Methods and Advanced Equipment for Simulation and Treatment in Radiation Oncology) since 2004 as team leader of the workpackage WP 3.3, focussed on the development of a Si bidimensional dosimeter for dose verifications in Intensity Modulated RadioTherapy: IMRT, protontherapy and stereotactic radiotherapy. In a collaboration with the University of Catania, the University of California Santa Cruz and the Loma Linda University Medical Center (LLUMC) she is developing a system for proton computer radiography and tomography (pCT). In this respect she has been responsible of a national project INFN (National Institute of Nuclear Physics called PRIMA ( Proton IMAging and dosimetry with proton and photon beams). Mara Bruzzi is also deeply involved in the study of the electrical transport of nanostructured materials as: nanostructured carbon (ns-C) produced by Supersonic Cluster Beam Deposition and nanostructured titanium dioxide (ns-TiO₂) The ns-C films are studied in view to a development as gas and humidity sensors for applications in indoor/outdoor air quality monitoring. Nanostructured TiO₂ is studied also in view of the manufacturing of Graetzel photovoltaic cells and to develop the functionalization of fabrics with major aims: increasing the UV protection factor, self cleaning, antibacterial. Mara Bruzzi is author/co-author of more than 100 publications, as listed in isiwebofknowledge, scopus and google scholar web sites.